大家可能都听过，在AMD RDNA4 RX 9070 XT上，有两种GDDR6内存，分别来自SAMSUNG和HYNIX。 首发阶段的零售版都搭配 HYNIX G6，几个月后开始出现 SAMSUNG G6 了。 据网上资料显示，使用SAMSUNG G6的RX 9070 XT有着更低的VRAM温度，差距约有10度。 所以不少人开始期待抽到使用AMSUNG G6的RX 9070 XT，直至最近BILIBILI频道51972提供另一种见解，原来两者性能也有差！
RDNA 4 HYNIX GDDR6 版要反胜了吗？
据51972的回报，他发现一些高阶的RX 9070 XT在3DMARK跑分中竟输给入门级的RX 9070 XT。 然而这些输掉的RX 9070 XT刚好都有一个相同之处，那就是使用SAMSUNGGDDR6。
51972 利用一款名为 CLAM CACHE/MEM BENCHMARK 的测试软件，测试显卡内存的延迟表现。 虽然被挑选的两张RX 9070 XT来自不同品牌，但内存频率甚至核心频率都一模一样。 实测发现，使用 SAMSUNG GDDR6 的延迟好像有比较高一点点。
据TWITTER网友回报，51972跑出来的成绩好像怪怪的，延迟好像有点太高。 笔者利用手上的RX 6600 XT自己跑一次，还真的跑不出300 NS。 期待 51972 在末来的横评测试中详细解构。
假设真的有 ~2%的性能差异，笔者猜测这是BIOS调校的问题，可能跟VRAM内存的时序设置有关。 毕竟AMD官方规格只保频率，没提过时序。 而跟据笔者以往的经验，在GDDR5上不同内存颗粒的预设时序其实也有一点差异，官方规格表上都有列出来。 据说这也是为什么当年 GTX 1000 （GTX1070） 引入美光 GDDR5 后出现大量花屏问题的原因，后来须通过 BIOS 更新解决。 这种东西性能有差是不奇怪，温度低一点好看一点也舒服，就看个人需求了。
